ADRF5132
推荐新设计使用高功率、20 W 峰值、硅 SPDT、反射开关、0.7 GHz 到 5.0 GHz
- 产品模型
- 2
产品详情
- 反射式 50 Ω 设计
- 低插入损耗：2.7 GHz 时为 0.6 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 持久（>10 年运行）
- 峰值功率：43 dBm
- 连续波功率：38 dBm
- 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm
- 持久（>10 年运行）
- 单一事件（<10 秒运行）
- 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm
- 高线性度
- P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
- IP3：2.0 GHz 到 4.0 GHz 时为 65 dBm（典型值）
- ESD 额定值
- HBM：2 kV，2 级
- CDM：1.25 kV
- 单一正电源：5 V
- 正控制，CMOS/TTL 兼容
- 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装
ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无铅的表面贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理能力（105°C 时的平均典型值）、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。
片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5132 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。
此器件采用符合 RoHS 指令的紧凑式 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。
应用
- 蜂窝/4G 基础设施
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- Pin 二极管替代方案
参考资料
数据手册 1
设计笔记 1
评估设计文件 1
视频 2
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5132BCPZN | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| ADRF5132BCPZN-R7 | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
5月 3, 2018 - 18_0083 ADRF5132 Data Sheet Change for Pin Functions |
||
| ADRF5132BCPZN | 量产 | |
| ADRF5132BCPZN-R7 | 量产 | |
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