HMC1114

过期

10 W GaN功率放大器，2.7 GHz至3.8 GHz

数据手册 (Rev. A)
产品模型
2
产品技术资料帮助

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产品详情

  • 高饱和输出功率(PSAT)： 41.5 dBm
  • 高小信号增益： 35 dB
  • 高大信号增益： 25.5 dB
  • 带宽： 2.7 GHz至3.8 GHz
  • 高功率附加效率（PAE）： 54%
  • 高输出IP3： 44 dBm
  • 电源电压： VDD = 28 V (150 mA)
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV封装
HMC1114
10 W GaN功率放大器，2.7 GHz至3.8 GHz
HMC1114 Functional Block Diagram HMC1114 Pin Configuration
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部分模型 产品周期 描述
HMC1114PM5E
> 10 W (42 dBm)， 2.7 GHz 至 3.8 GHz， GaN 功率放大器
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工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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S-参数 1

ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

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评估套件

eval board
schematic 5
schematic 6
schematic 7
EVAL-LT4200

评估 LT4200 12V、100A 热插拔控制器电子寄存器

立即购买 更多内容

特性和优点

  • Complete Bias Control and Sequencing Solution for Pulsed GaN Radar Power Amplifiers
  • Pin Compatible with ADI's existing Pulser Board and with ADI's GaN Power Amplifier Evaluation Boards
  • Operation in Drain Pulsed Mode or Gate Pulsed Mode
  • Optional Crowbar Circuit for Fast Turn Off in Drain Pulsed Mode
  • Single 24 V to 50 V Power Supply with on-board Negative Gate Voltage Generation.
  • Drain Current Monitoring Circuit

产品详情

EVAL-LT4200-AZ 电路板可用于评估在 100A 应用中并联使用的两个 LT4200 50A 热插拔控制器电子寄存器。LT4200 通过控制热插拔期间的浪涌电流来保护背板电源免受毛刺和火花的影响。在输出过载情况下，LT4200 会在延迟后关闭，以保护内部电源 MOSFET 和背板供电。EVAL-LT4200-AZ 包括用于欠压和过压保护的电阻分压器以及输出功率正常信号。为了监测电流、功率正常、故障状态以及输入和输出电压，提供了转塔。还有几个测试点允许探测其他电路节点。该电路板的设计文件可在 ADI 公司网站上获取。
EVAL-HMC1114
HMC1114评估板
EV1HMC1114LP5D-Angle (1)-web EV1HMC1114LP5D-Angle (2)-web EV1HMC1114LP5D-Bottom-web EV1HMC1114LP5D-Top-web
EVAL-LT4200
评估 LT4200 12V、100A 热插拔控制器电子寄存器
LT4200 Evaluation Board Photo Angle LT4200 Evaluation Board Photo Top LT4200 Evaluation Board Photo Bottom

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