HMC8205

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0.3或0.4 GHz至6 GHz、35 W、GaN功率放大器

数据手册 (Rev. C)
产品模型
3
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产品详情

  • 高 PSAT：46 dBm
  • 高功率增益：20 dB 
  • 高 PAE：38% 
  • 瞬时带宽：0.3 GHz 到 6 GHz
  • 电源电压：VDD = 50 V，1300 mA 
  • 10 引脚 LDCC 封装
HMC8205

0.3或0.4 GHz至6 GHz、35 W、GaN功率放大器

HMC8205BF10 Functional Block Diagram HMC8205BF10 Circuit Diagram HMC8205BF10 Pin Configuration
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工具及仿真模型

S-参数 2

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

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评估套件

eval board
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EVAL-LT4200

评估 LT4200 12V、100A 热插拔控制器电子寄存器

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特性和优点

  • Complete Bias Control and Sequencing Solution for Pulsed GaN Radar Power Amplifiers
  • Pin Compatible with ADI's existing Pulser Board and with ADI's GaN Power Amplifier Evaluation Boards
  • Operation in Drain Pulsed Mode or Gate Pulsed Mode
  • Optional Crowbar Circuit for Fast Turn Off in Drain Pulsed Mode
  • Single 24 V to 50 V Power Supply with on-board Negative Gate Voltage Generation.
  • Drain Current Monitoring Circuit

产品详情

EVAL-LT4200-AZ 电路板可用于评估在 100A 应用中并联使用的两个 LT4200 50A 热插拔控制器电子寄存器。LT4200 通过控制热插拔期间的浪涌电流来保护背板电源免受毛刺和火花的影响。在输出过载情况下，LT4200 会在延迟后关闭，以保护内部电源 MOSFET 和背板供电。EVAL-LT4200-AZ 包括用于欠压和过压保护的电阻分压器以及输出功率正常信号。为了监测电流、功率正常、故障状态以及输入和输出电压，提供了转塔。还有几个测试点允许探测其他电路节点。该电路板的设计文件可在 ADI 公司网站上获取。

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EVAL-HMC8205

HMC8205 评估板

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产品详情

EV1HMC8205BF10评估板是一款两层PCB，采用10 mil厚Rogers 4350B铜箔制造。该PCB安装在铜制散热器上，有助于器件散热并向PCB提供机械支持。安装孔便于轻松连接至较大的散热器，以便改善热管理性能。RFIN和RFOUT端口填充有2.9 mm插口同轴连接器，且其各自的RF走线具有50 Ω特征阻抗。该板配有在器件的整个工作温度范围内适用的元件。有关直流连接、偏置和典型性能的信息，请参阅HMC8205数据手册。
EVAL-LT4200
评估 LT4200 12V、100A 热插拔控制器电子寄存器
LT4200 Evaluation Board Photo Angle LT4200 Evaluation Board Photo Top LT4200 Evaluation Board Photo Bottom
EVAL-HMC8205
HMC8205 评估板
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