HMC8500LP5DE

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>10 W、0.01 GHz至2.8 GHz、GaN功率放大器

数据手册 (Rev. A)
产品模型
2
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产品详情

  • 高小信号增益：16.0 dB
  • 高PAE：55%（典型值）
  • 瞬时带宽：0.01 GHz至2.8 GHz
  • 电源电压：VDD = 28 V (100 mA)
  • 内部预匹配
    • 简单紧凑的外部调谐以实现最佳性能
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装
HMC8500LP5DE
>10 W、0.01 GHz至2.8 GHz、GaN功率放大器
HMC8500 Functional Block Diagram HMC8500 Pin Configuration HMC8500 Circuit Diagram
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部分模型 产品周期 描述
HMC8500PM5E
10 W (40 dBm) 0.01 GHz 至 2.8 GHz GaN 功率放大器
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工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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S-参数 1

评估套件

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-LT4200

评估 LT4200 12V、100A 热插拔控制器电子寄存器

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特性和优点

  • Complete Bias Control and Sequencing Solution for Pulsed GaN Radar Power Amplifiers
  • Pin Compatible with ADI's existing Pulser Board and with ADI's GaN Power Amplifier Evaluation Boards
  • Operation in Drain Pulsed Mode or Gate Pulsed Mode
  • Optional Crowbar Circuit for Fast Turn Off in Drain Pulsed Mode
  • Single 24 V to 50 V Power Supply with on-board Negative Gate Voltage Generation.
  • Drain Current Monitoring Circuit

产品详情

EVAL-LT4200-AZ 电路板可用于评估在 100A 应用中并联使用的两个 LT4200 50A 热插拔控制器电子寄存器。LT4200 通过控制热插拔期间的浪涌电流来保护背板电源免受毛刺和火花的影响。在输出过载情况下，LT4200 会在延迟后关闭，以保护内部电源 MOSFET 和背板供电。EVAL-LT4200-AZ 包括用于欠压和过压保护的电阻分压器以及输出功率正常信号。为了监测电流、功率正常、故障状态以及输入和输出电压，提供了转塔。还有几个测试点允许探测其他电路节点。该电路板的设计文件可在 ADI 公司网站上获取。

eval board
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EVAL-HMC8500

HMC8500评估板

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产品详情

HMC8500评估板是一块两层板，采用Rogers 4350和适合高频RF设计的最佳做法制造而成。RF输入和输出走线具有50 Ω特征阻抗。该板使用导电和导热环氧树脂连接至散热器，提供低热阻抗和低直流阻抗路径。元件通过SN63焊剂进行贴装，支持重新贴装表贴元件，而不会影响散热器附件电路板的性能。


该评估板和填充元件针对−40°C至+85°C的环境工作温度范围而设计。在工作过程中，将评估板连接到温度控制板上，以在工作期间控制HMC8500的温度。有关正确的偏置序列，请参考数据手册的“应用信息”部分。
EVAL-LT4200
评估 LT4200 12V、100A 热插拔控制器电子寄存器
LT4200 Evaluation Board Photo Angle LT4200 Evaluation Board Photo Top LT4200 Evaluation Board Photo Bottom
EVAL-HMC8500
HMC8500评估板
EVIHMC8500LP5DE (angle) EVIHMC8500LP5DE (top) EVIHMC8500LP5DE (bottom)

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