HMC8205

新規設計に推奨

パワー・アンプ、GaN、0.3 ～ 6 GHz、35 W

データシート (Rev. C)
製品モデル
3
1Ku当たりの価格
価格は未定
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
Viewing:

製品の詳細

  • 高 PSAT: 46 dBm
  • 高パワー・ゲイン: 20 dB 
  • 高 PAE: 38% 
  • 瞬時帯域幅: 0.3 GHz ～ 6 GHz
  • 電源電圧: VDD = 50 V @ 1300 mA
  • 10 ピン LDCC パッケージ
  • 高出力電力：PIN = 24 dBmで45.5dBm（代表値）
  • 高パワー・ゲイン：PIN = 24 dBmで22dB（代表値）
  • 高いPAE： PIN = 28 dBmで40%（代表値）
  • ダイ・サイズ：4.8 mm × 3.4 mm × 0.1 mm
HMC8205

パワー・アンプ、GaN、0.3 ～ 6 GHz、35 W

HMC8205BF10 Functional Block Diagram HMC8205BF10 Circuit Diagram HMC8205BF10 Pin Configuration
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ドキュメント

データシート 3

アプリケーション・ノート 2

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ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 2

キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-LT4200

100AでのLT4200（12V、ホット・スワップEヒューズ）の性能評価

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機能と利点

  • Complete Bias Control and Sequencing Solution for Pulsed GaN Radar Power Amplifiers
  • Pin Compatible with ADI's existing Pulser Board and with ADI's GaN Power Amplifier Evaluation Boards
  • Operation in Drain Pulsed Mode or Gate Pulsed Mode
  • Optional Crowbar Circuit for Fast Turn Off in Drain Pulsed Mode
  • Single 24 V to 50 V Power Supply with on-board Negative Gate Voltage Generation.
  • Drain Current Monitoring Circuit

製品詳細

EVAL-LT4200-AZ回路ボードでは、100Aアプリケーションで2つの並列LT4200（50Aホット・スワップEヒューズ）を評価できます。LT4200は、ホット・プラグ時の突入電流を制御して、バックプレーン電源をグリッチやスパークから保護します。出力が過負荷になると、LT4200は内部パワーMOSFETとバックプレーン電源を保護するために、一定の遅延後にオフになります。EVAL-LT4200-AZには、低電圧および過電圧保護と出力パワー・グッドのための抵抗分圧器が内蔵されています。電流、パワー・グッド、障害ステータス、入出力電圧を監視するためにタレットを備えています。いくつかのテスト・ポイントでは、他の回路ノードをプローブできます。この回路ボードの設計ファイルは、アナログ・デバイセズのWebサイトから入手できます。

eval board
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EVAL-HMC8205

HMC8205 評価用ボード

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製品詳細

EV1HMC8205BF10 評価用ボードは、10 ミル厚さの Rogers 4350B 銅被覆を使用した 2 層 PCB 製品です。PCB は、デバイスの熱放散を実現するとともに PCB に機械的支持を与える、銅ヒート・スプレッダに取り付けられています。取り付け穴があるので、温度管理に優れた、より大型のヒート・シンクに簡単に取り付けることができます。RFIN および RFOUT ポートは 2.9 mm メス同軸コネクタで装着されており、それぞれの RF パターンは 50 Ω の特性インピーダンスを持ちます。ボードには、デバイスの動作温度の全範囲で使用に適したコンポーネントが搭載されています。DC 接続、バイアス、一般的性能についての情報は、HMC8205 データシートを参照してください。
EVAL-LT4200
100AでのLT4200（12V、ホット・スワップEヒューズ）の性能評価
LT4200 Evaluation Board Photo Angle LT4200 Evaluation Board Photo Top LT4200 Evaluation Board Photo Bottom
EVAL-HMC8205
HMC8205 評価用ボード
EV1HMC8205BF10ANGLE-web EV1HMC8205BF10BOTTOM-web EV1HMC8205BF10TOP-web

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