ADRF5030
预发布100 MHz 至 20 GHz SPDT 硅 100 非反射开关
产品详情
- 宽带频率范围,100 MHz 至 20 GHz
- 非反射设计
- 低插入损耗
- 0.1 GHz 至 6 GHz 之间典型值为 0.7 dB
- 6 GHz 至 12 GHz 之间典型值为 0.9 dB
- 1.2 dB 典型值,最高 20 GHz
- 高隔离
- 100 MHz 至 6 GHz 时为 55 dB(典型值)
- 6 GHz 至 12 GHz 时为 50 dB(典型值)
- 45 dB 典型值,最高 20 GHz/li>
- 高输入线性度
- P0.1dB:>36 dBm(典型值)
- IP3:60 dBm(典型值)
- 高 RF 功率处理能力
- 直通路径:峰值 36 dBm / 平均 33 dBm
- 终止路径:峰值 36 dBm,平均 33 dBm
- 热切换路径:峰值 36 dBm / 平均 33 dBm
- 与 CMOS/LVTTL 兼容
- 无低频杂散;无负电压发生器
- 快速 RF 开关时间:70 ns
- 射频稳定时间 (0.1 dB):95 ns
- 单电源供电能力(VDD = 3.3 V,VSS = 0 V)
- 20 端子、3 毫米 x 3 毫米 LGA 封装
- 引脚与 ADRF5022 & ADRF5026 兼容
ADRF5030 是一款非反射式单刀双掷 (SPDT) 开关,采用绝缘体上硅 (SOI) 工艺制造。ADRF5030 的工作频率范围为 100 MHz 至 20 GHz,具有低于 1.2 dB 的插入损耗和高于 45 dB 隔离性能。对于 RFC 和 RFx 直通路径、终端路径以及 RFC 和 RFx 端口的热切换,该器件的 RF 输入功率处理能力为 33 dBm 平均值/36 dBm 峰值。ADRF5030 在 ±3.3 V 双电源电压运行。ADRF5030 采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和低电压晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。
ADRF5030 也可以在单个正电源电压 (VDD) 下工作,同时负电源电压 (VSS) 接地。在此工作条件下,小信号性能得以保持,但开关特性、线性度和功率处理性能有所降低。更多详细信息请参阅表 2。
ADRF5030 与 ADRF5022 和 ADRF5026 引脚兼容,也与 ADRF5031(慢速开关、低截止版本,工作频率范围为 9 kHz 至 20 GHz)引脚兼容。
ADRF5030 采用 20 端子、3 mm × 3 mm、符合 RoHS 标准的平面栅格阵列 (LGA) 封装。ADRF5030 的工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。
应用
- 测试仪器仪表
- 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
- 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
参考资料
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