ADUM4135

製造中

絶縁IGBTゲート・ドライバ、単電源／両電源、高電圧、ミラー・クランプ内蔵

データシート (Rev. E)
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利用上の注意

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本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • ピーク出力駆動電流: 4 A
  • 出力パワーデバイスの抵抗: <1 Ω
  • 非飽和保護機能
    • 絶縁された非飽和フォルト通知機能
    • 障害時のソフト･シャットダウン
  • ミラー･クランプ出力（ゲート･センス入力付き）
  • 絶縁された障害およびレディ通知機能
  • 伝搬遅延が小さい: 55 ns（typ）
  • 最小パルス幅: 50 ns
  • 動作温度範囲: -40°C ～ +125°C
  • 出力電圧範囲: ～35 V
  • 入力電圧範囲: 2.5V ～ 6V
  • 出力と入力の低電圧ロックアウト（UVLO）
  • 沿面距離:最小7.8 mm
  • 100kV/µs のコモン･モード過渡耐圧（CMTI）
  • 600 V rms または1092 V dc 動作電圧での耐用年数: 20 年
  • 安全性と規制に対する認定
    • 5 kV ac、1 分間、UL 1577 準拠
    • CSA 部品承認通知 5A
    • DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）: 2006-12
      • VIORM = 849 V peak （強化／基本）
ADUM4135
絶縁IGBTゲート・ドライバ、単電源／両電源、高電圧、ミラー・クランプ内蔵
ADuM4135 Functional Block Diagram ADuM4135 Pin Configuration
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サポート

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ドキュメント

データシート 2

ユーザ・ガイド 1

アプリケーション・ノート 5

技術記事 6

安全性および規制遵守 1

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ツールおよびシミュレーション

LTspice

下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:

  • ADUM4135

IBISモデル 1

LTspice

LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

 

評価用キット

eval board
schematic 1
EVAL-ADUM4135

ADuM4135 Evaluation Board

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製品詳細

The EVAL-ADuM4135EBZ supports the ADuM4135 which is a single channel gate driver specifically optimized for driving IGBTs.  The  Analog Devices, Inc. iCoupler® technology provides isolation between the input signal and the output gate drive.


The ADuM4135 provides a miller clamp in order to provide robust IGBT turn-off  with a single rail supply once the gate voltage drops below 2 V. Operation with unipolar or bipolar secondary supplies is possible, with or without the miller clamp operation. The Analog Devices chip-scale transformers also provide isolated communication of control information between the high voltage and low voltage domains of the chip. Information on the status of the chip may be read back from dedicated outputs. Control of resetting the part after a fault on the secondary is performed on  the primary side of the device.


Integrated onto the ADuM4135 is a desaturation detection circuit that provides protection against high voltage short circuit IGBT operation.  The desaturation protection contains noise reducing features such as a 300 ns masking time after switching event to mask voltage spikes due to initial turn-on. An internal 500 µA current source allows for low part count, but the internal blanking switch allows for the addition of an external current source in case more noise immunity is desired

eval board
schematic 2
EVAL-MICROSEMI-SIC-MODULE

MICROSEMI-SIC-MODULE Evaluation Board

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機能と利点

  • Half Bridge Topology
  • 1200V, 50A, 200kHz
  •  >100kV/us CMTI
  • 4 layers PCB
  • 12V VIN supply
  • Independent High Side and Low Side PWM inputs (Single control with 70ns deadtime for testing)
  • 1 LT3999 + 1 ADuM4135 for both High Side and Low Side
  •  Full tested ‘Desat protection’
  •  Low inductive and high current terminals for V+, V- and AC phase connection
 

製品詳細

High power evaluation board, up to 1200V & 50A @ 200kHz switching frequency featuring the combo ADI ADuM4135 isolated gate driver + LT3999 isolated power supply controller + Microsemi SiC power module in half bridge configuration.


For more information, email RenwBoards@analog.com.
EVAL-ADUM4135
ADuM4135 Evaluation Board
EVAL-ADUM4135
EVAL-MICROSEMI-SIC-MODULE
MICROSEMI-SIC-MODULE Evaluation Board
EVAL-MICROSEMI-SIC-MODULE

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